STP30NF10
Active - MOSFET N-CH 100V 35A TO220AB
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 35A TO220AB
STP30NF10 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
35A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
45mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
55 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1180 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max)
115W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore del fornitore
TO-220
Contenitore/involucro
TO-220-3
Poland
