STP10N105K5
Active - MOSFET N-CH 1050V 6A TO220
Descrizione:
MOSFET N-CH 1050V 6A TO220
STP10N105K5 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
1050 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
6A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
1.3Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) max a Id
5V @ 100μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
21.5 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
545 pF @ 100 V
Dissipazione di potenza (max)
130W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore del fornitore
TO-220
Contenitore/involucro
TO-220-3
France
