STP10N80K5
Active - MOSFET N-CH 800V 9A TO220
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 9A TO220
STP10N80K5 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
800 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
9A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
600mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) max a Id
5V @ 100μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
22 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
635 pF @ 100 V
Dissipazione di potenza (max)
130W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore del fornitore
TO-220
Contenitore/involucro
TO-220-3
STP10N80K5 Inventario: 16320
5.0 / 5.0
2023-03-01 01:18
In conformità con la descrizione. È difficile leggere i riferimenti dei componenti sulle barre.
2023-03-01 12:52
Molto veloce e di buona qualità.
2023-02-28 05:11
Prodotto secondo la descrizione
2023-02-27 07:35
Spedizione ricevuta, transistor non sprawdza?em.
2023-03-01 01:33
Molto bello, in contenitori separati.
France
