STP11NM80
Active - MOSFET N-CH 800V 11A TO220AB
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 11A TO220AB
STP11NM80 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
800 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
11A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
400mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) max a Id
5V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
43.6 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1630 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max)
150W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-65 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore del fornitore
TO-220
Contenitore/involucro
TO-220-3
STP11NM80 Inventario: 27000
5.0 / 5.0
2023-03-01 17:21
Arrivato in 9 giorni dopo l%27%27ordine.%26lt;br%26gt;Grazie!
2023-02-28 05:32
L%27%27aspetto bello deve essere ancora ostruito
2022-12-16 18:07
Ricevuto ok, molte gambe sono state piegate correttamente è accaduto quando il chip ic è stato spinto verso il basso in schiuma antistatica per la spedizione
2023-02-28 05:53
Ok tutto buono spedizione veloce grazie
2022-10-06 10:05
Tutto bene, grazie.
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