IRFPG30
Obsolete - MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO247-3
Descrizione:
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO247-3
IRFPG30 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Obsolete
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
1000 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
3.1A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
5Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
80 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
980 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max)
125W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore del fornitore
TO-247AC
Contenitore/involucro
TO-247-3
IRFPG30 Inventario: 11760
5.0 / 5.0
2023-03-25 13:19
È come la descrizione (Toshiba). È l%27%27importo che ho chiesto. Molto rapidamente mandò a mandare. Non ancora provato, metterò ulteriori commenti più tardi.
2023-03-25 19:53
sembra buono. Non ancora testato.
2022-11-10 14:27
alcuni componenti danneggiati, inutilizzabili
2023-03-20 09:32
Bene 50 pezzi. Ottimo per il prezzo!
2023-03-21 12:55
Bloccato in dogana
United States
