IRF100B202
Active - MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
IRF100B202 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Serie
HEXFET, StrongIRFET
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
97A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
8.6mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V @ 150μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
116 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
4476 pF @ 50 V
Dissipazione di potenza (max)
221W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore del fornitore
TO-220AB
Contenitore/involucro
TO-220-3
IRF100B202 Inventario: 37000
5.0 / 5.0
2021-07-09 02:45
Ben accolto, non ancora testato
2021-12-03 00:22
Ordino 10 pezzi. Ora prova tre fiches e due era ID 0x441, che è STM32F412, non STM32F407. Sono molto deluso.
2021-12-27 06:22
La merce è molto soddisfatta, il venditore Grazie mille.
2021-06-10 07:32
Recu in 89 giorni, strip, per testare
2021-11-23 06:50
Tutto ok, grazie!
France
