IRFD224
Active - MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP
Descrizione:
MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP
IRFD224 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
250 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
630mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
1.1Ohm @ 380mA, 10V
Vgs(th) max a Id
4V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
14 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
260 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max)
1W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore del fornitore
4-HVMDIP
Contenitore/involucro
4-DIP (0.300", 7.62mm)
IRFD224 Inventario: 8080
5.0 / 5.0
2023-05-22 02:12
Sono sempre molto soddisfatto di questo venditore con prodotti di qualità
2023-05-22 05:34
tutto ok grazie
2023-05-23 23:55
Consegna veloce, e come la descrizione
2023-05-23 05:40
Elaborazione perfetta e veloce, venditore affidabile, 5 stelle *****
2023-05-23 21:41
Buona qualità e consegna veloce :-)
France
