IRFD024PBF
Active - MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
IRFD024PBF Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
2.5A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
100mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
25 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
640 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max)
1.3W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore del fornitore
4-HVMDIP
Contenitore/involucro
4-DIP (0.300", 7.62mm)
IRFD024PBF Inventario: 21280
5.0 / 5.0
2023-04-05 07:51
In alto come nella descrizione
2023-04-06 01:07
Avevo bisogno dei MOSFET per una scheda RGBW. Dopo un anno è ancora tutto a posto
2023-04-05 14:52
Ottimo prodotto, prezzo e spedizione. Ottimo !! del venditore Grazie.
2023-03-31 01:24
funziona bene, come pubblicizzato. Consiglierei
2023-04-06 14:42
Non ancora provato
France
