IRFD020PBF
Active - MOSFET N-CH 50V 2.4A 4DIP
Descrizione:
MOSFET N-CH 50V 2.4A 4DIP
IRFD020PBF Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
50 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
2.4A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
100mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
24 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
400 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max)
1W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore del fornitore
4-HVMDIP
Contenitore/involucro
4-DIP (0.300", 7.62mm)
IRFD020PBF Inventario: 44960
5.0 / 5.0
2023-06-01 02:54
Perfetto, in più: consegna veloce. Raccomando questo fornitore
2023-05-31 06:14
Consegna velocissima!!
2023-05-30 05:29
Niente ok, grazie
2023-05-30 02:22
Va tutto bene, sono soddisfatto, grazie amico mio!!
2023-05-30 14:13
Prodotto come descritto. Non ancora testato.
France
