IRFBG30
Obsolete - MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Descrizione:
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
IRFBG30 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Obsolete
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
1000 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
3.1A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
5Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
80 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
980 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max)
125W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore del fornitore
TO-220AB
Contenitore/involucro
TO-220-3
IRFBG30 Inventario: 41200
5.0 / 5.0
2023-05-24 09:55
Articolo ben accolto e conforme. Consegna Cina-Francia un po%27 lunga in 18 giorni invece di 15.
2023-05-24 01:41
at?jo per 14 dien?
2023-05-15 00:47
Descrizione corrispondente all%27articolo. Pacchetto e consegna ok.
2023-05-18 10:34
Un buon prodotto funziona bene
2023-05-16 05:33
Tutto perfetto, spedizione velocissima. Grazie.
France
