IRFBG20L
Active - MOSFET N-CH 1000V 1.4A I2PAK
Descrizione:
MOSFET N-CH 1000V 1.4A I2PAK
IRFBG20L Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
1000 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
1.4A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
11Ohm @ 840mA, 10V
Vgs(th) max a Id
4V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
38 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
500 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max)
-
Temperatura di funzionamento
-
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore del fornitore
I2PAK
Contenitore/involucro
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
IRFBG20L Inventario: 4080
5.0 / 5.0
2023-05-22 02:12
Sono sempre molto soddisfatto di questo venditore con prodotti di qualità
2023-05-22 05:34
tutto ok grazie
2023-05-23 23:55
Consegna veloce, e come la descrizione
2023-05-23 05:40
Elaborazione perfetta e veloce, venditore affidabile, 5 stelle *****
2023-05-23 21:41
Buona qualità e consegna veloce :-)
France
