IRFBF20PBF
Active - MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220AB
Descrizione:
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220AB
IRFBF20PBF Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
900 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
1.7A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
8Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
38 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
490 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max)
54W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore del fornitore
TO-220AB
Contenitore/involucro
TO-220-3
IRFBF20PBF Inventario: 31360
5.0 / 5.0
2023-05-23 21:41
Buona qualità e consegna veloce :-)
2023-05-21 09:36
Ho ricevuto il pacco in base all%27%27ordine prima della scadenza
2023-05-21 09:34
Ho ricevuto la ciambella prima della scadenza secondo l%27%27ordine
2023-05-20 06:38
Non ancora testato, il chip sembra nuovo.
2023-05-23 23:56
In conformità con la descrizione. Consegnato rapidamente.
Germany
