IRFBE30SPBF
Active - MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
IRFBE30SPBF Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
800 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
4.1A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
78 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1300 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max)
125W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore del fornitore
D2PAK (TO-263)
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFBE30SPBF Inventario: 28080
5.0 / 5.0
2023-06-07 09:38
Tutto bene. Volentieri di nuovo!
2023-06-07 06:49
super je recommande
2023-06-08 08:54
Tutto è stato fantastico. Grazie
2023-06-08 05:58
Ben accolto, conforme e serio
2023-06-06 11:47
Ottimo prodotto, consiglio il venditore.
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