IRFBE30
Obsolete - MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
IRFBE30 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Obsolete
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
800 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
4.1A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
78 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1300 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max)
125W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore del fornitore
TO-220AB
Contenitore/involucro
TO-220-3
United States
