IRF830LPBF
Active - MOSFET N-CH 500V 4.5A TO262-3
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO262-3
IRF830LPBF Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
500 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
4.5A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
38 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
610 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max)
3.1W (Ta), 74W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore del fornitore
TO-262-3
Contenitore/involucro
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
IRF830LPBF Inventario: 44960
5.0 / 5.0
2023-04-27 03:17
Arrivato come da foto, grazie.
2023-05-02 01:55
Ordinato il 17 aprile, spedito il 18 aprile, consegnato il 2 maggio%26lt;br%26gt;15 giorni tra l%27%27ordine e la consegna: veloce. Grazie.%26lt;br%26gt;Non ho contato 2N22222 ma penso che siano 200.
2023-05-02 00:42
corrispondente a la descrizione
2023-05-05 06:31
Tutto ricevuto in buone condizioni e ben confezionato
2023-05-08 06:01
Consegnato bene e rapidamente
Italy
