IRF720LPBF
Active - MOSFET N-CH 400V 3.3A TO262-3
Descrizione:
MOSFET N-CH 400V 3.3A TO262-3
IRF720LPBF Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
400 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
3.3A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
1.8Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
20 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
410 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max)
3.1W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore del fornitore
TO-262-3
Contenitore/involucro
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Germany
