IRF640PBF
Active - MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
IRF640PBF Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
18A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
70 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1300 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max)
125W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore del fornitore
TO-220AB
Contenitore/involucro
TO-220-3
IRF640PBF Inventario: 34880
5.0 / 5.0
2023-03-31 23:25
consegna perfetta in Italia
2023-04-05 09:43
Articoli e quantità come descritto, buona qualità.
2023-03-30 13:19
Tutto come descritto, ottimo venditore, consigliatissimo.
2023-04-05 07:40
Il dispositivo che è arrivato è MXL7704-R3 e ha riparato correttamente il mio Raspberry Pi 3 B.
2023-04-04 05:08
Consegna ordinata, buon servizio consigliato
Italy
