IRF640FP
Obsolete - MOSFET N-CH 200V 18A TO220FP
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 18A TO220FP
IRF640FP Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Obsolete
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
18A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
180mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
72 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1560 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max)
40W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore del fornitore
TO-220FP
Contenitore/involucro
TO-220-3 Full Pack
IRF640FP Inventario: 36600
5.0 / 5.0
2023-03-26 01:25
Sono arrivati molto più velocemente del previsto. Tutto quello che devo fare è cavalcarli.
2023-03-24 03:47
Semplicemente eccellente!! Grazie.
2022-12-19 19:44
La consegna non è arrivata.
2023-03-25 13:19
È come la descrizione (Toshiba). È l%27%27importo che ho chiesto. Molto rapidamente mandò a mandare. Non ancora provato, metterò ulteriori commenti più tardi.
2023-03-25 19:53
sembra buono. Non ancora testato.
France
