NP36P06SLG-E1-AY
Active - MOSFET P-CH 60V 36A TO252
Descrizione:
MOSFET P-CH 60V 36A TO252
NP36P06SLG-E1-AY Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
36A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4.5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
30mOhm @ 18A, 10V
Carica del gate (Qg) max a Vgs
52 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3200 pF @ 10 V
Dissipazione di potenza (max)
1.2W (Ta), 56W (Tc)
Temperatura di funzionamento
175 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore del fornitore
TO-252 (MP-3ZK)
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Netherlands
