NP32N055SDE-E1-AZ
Obsolete - NP32N055SDE-E1-AZ - MOS FIELD EF
Descrizione:
NP32N055SDE-E1-AZ - MOS FIELD EF
NP32N055SDE-E1-AZ Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Obsolete
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
55 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
32A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4.5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
24mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) max a Id
2.5V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
41 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2000 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max)
1.2W (Ta), 66W (Tc)
Temperatura di funzionamento
175 ℃
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore del fornitore
TO-252 (MP-3ZK)
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Spain
