FDC6561AN
Active - MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
FDC6561AN Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
2 N-Channel (Dual)
Configurazione
Logic Level Gate
Tensione drain/source (Vdss)
2.5A
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
95mOhm @ 2.5A, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
3V @ 250μA
Vgs(th) max a Id
3.2nC @ 5V
Carica del gate (Qg) max a Vgs
220pF @ 15V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
700mW
Potenza - Max
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Temperatura di funzionamento
Surface Mount
Tipo di montaggio
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Contenitore/involucro
SuperSOT?-6
Contenitore del fornitore
-
FDC6561AN Inventario: 11320
5.0 / 5.0
2023-03-24 03:47
Semplicemente eccellente!! Grazie.
2022-12-19 19:44
La consegna non è arrivata.
2023-03-25 13:19
È come la descrizione (Toshiba). È l%27%27importo che ho chiesto. Molto rapidamente mandò a mandare. Non ancora provato, metterò ulteriori commenti più tardi.
2023-03-25 19:53
sembra buono. Non ancora testato.
2022-11-10 14:27
alcuni componenti danneggiati, inutilizzabili
Finland
