FDC6327C
Active - MOSFET N/P-CH 20V SSOT-6
Descrizione:
MOSFET N/P-CH 20V SSOT-6
FDC6327C Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
N and P-Channel
Configurazione
Logic Level Gate
Tensione drain/source (Vdss)
2.7A, 1.9A
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
80mOhm @ 2.7A, 4.5V
RDSon (max) a Id, Vgs
1.5V @ 250μA
Vgs(th) max a Id
4.5nC @ 4.5V
Carica del gate (Qg) max a Vgs
325pF @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
700mW
Potenza - Max
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Temperatura di funzionamento
Surface Mount
Tipo di montaggio
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Contenitore/involucro
SuperSOT?-6
Contenitore del fornitore
-
Spain
