NTE5825
Active - DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4
Descrizione:
DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4
NTE5825 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Active
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max
1000 V
Corrente - Media rettificata (Io)
12A
Tensione - Diretta (Vf) max a If
1.4 V @ 12 A
Velocità
Fast Recovery = 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (Trr)
400 ns
Corrente - Dispersione inversa a Vr
25 μA @ 1000 V
Tipo di montaggio
Stud Mount
Contenitore/involucro
DO-203AA, DO-4, Stud
Contenitore del fornitore
DO-4
Temp. di funzionamento - Giunzione
-65 ℃ ~ 150 ℃
NTE5825 Inventario: 9080
5.0 / 5.0
2023-02-07 23:52
Non testato, ma l%27%27imballaggio era molto buono. Spedito un po%27%27 più velocemente del solito.
2023-02-07 09:38
Spedizione veloce. Perfetto!
2023-02-08 22:32
MOSFET di bell%27%27aspetto, spero che funzionino anche
2023-02-07 02:56
Il circuito ha preso il posto del precedente al sicuro nel mio forno. Funziona perfettamente e controlla i relè.
2023-02-08 05:32
Microcontrollore perfetto, venditore di ottima qualità
Lithuania
