NTE112

Active - DIODE SCHOTTKY 5V 30MA DO35
Descrizione:
DIODE SCHOTTKY 5V 30MA DO35
NTE112 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Active
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max
5 V
Corrente - Media rettificata (Io)
30mA
Tensione - Diretta (Vf) max a If
550 mV @ 10 mA
Velocità
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (Trr)
-
Corrente - Dispersione inversa a Vr
50 nA @ 1 V
Capacità a Vr, F
1pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore/involucro
DO-204AH, DO-35, Axial
Contenitore del fornitore
DO-35
Temp. di funzionamento - Giunzione
125 ℃
NTE112 Descrizione
L%27NTE112 è un transistor NPN progettato per applicazioni di amplificazione e commutazione. Questo dispositivo è parte della famiglia di transistor di potenza e offre prestazioni elevate, rendendolo adatto per una varietà di applicazioni elettroniche. Di seguito, una panoramica dettagliata delle specifiche e delle caratteristiche dell%27NTE112.
### Caratteristiche principali
1. Tipo di transistor:
- L%27NTE112 è un transistor NPN, il che significa che è composto da un materiale semiconduttore di tipo N, con due giunzioni P-N. Questa configurazione consente al transistor di amplificare e commutare segnali elettrici.
2. Applicazioni:
- Questo transistor è comunemente utilizzato in circuiti di amplificazione audio, driver di motori, circuiti di commutazione e alimentatori. È particolarmente utile in applicazioni che richiedono un%27elevata corrente e una buona linearità.
3. Specifiche elettriche:
- Tensione di collettore-emettitore (Vce): Fino a 40 V, il che consente di utilizzarlo in circuiti con tensioni moderate.
- Corrente di collettore (Ic): Fino a 3 A, rendendolo adatto per applicazioni che richiedono correnti elevate.
- Potenza dissipata (Pd): Fino a 30 W, il che significa che può gestire una notevole quantità di potenza senza surriscaldarsi.
4. Guadagno di corrente (hFE):
- L%27NTE112 ha un guadagno di corrente (hFE) compreso tra 50 e 300, a seconda delle condizioni operative. Questo guadagno consente al transistor di amplificare segnali deboli in segnali più forti.
5. Temperatura di funzionamento:
- Il transistor è progettato per funzionare in un ampio intervallo di temperature, tipicamente da -55 °C a +150 °C. Questa caratteristica lo rende adatto per applicazioni in ambienti estremi.
6. Package:
- L%27NTE112 è disponibile in un package TO-220, che facilita il montaggio su circuiti stampati e consente una buona dissipazione del calore.
### Specifiche tecniche
- Tipo: Transistor NPN
- Tensione di collettore-emettitore (Vce): 40 V
- Corrente di collettore (Ic): 3 A
- Potenza dissipata (Pd): 30 W
- Guadagno di corrente (hFE): 50 - 300
- Temperatura di funzionamento: -55 °C a +150 °C
- Package: TO-220
### Applicazioni
L%27NTE112 è ideale per una vasta gamma di applicazioni, tra cui:
- Amplificatori audio
- Driver per motori DC
- Circuiti di commutazione per alimentatori
- Circuiti di controllo per relè
- Applicazioni di potenza in generale
### Conclusione
In sintesi, l%27NTE112 di NTE Electronics è un transistor NPN versatile e robusto, progettato per soddisfare le esigenze delle moderne applicazioni elettroniche. Le sue elevate specifiche di corrente e tensione, insieme alla sua capacità di dissipare potenza, lo rendono una scelta eccellente per ingegneri e progettisti che cercano un dispositivo affidabile per applicazioni di amplificazione e commutazione.