NTE5317
Active - R-SI BRIDGE 1000V 8A
Descrizione:
R-SI BRIDGE 1000V 8A
NTE5317 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Active
Tipo di diodo
Single Phase
Tensione - Inversa di picco max
1 kV
Corrente - Media rettificata (Io)
8 A
Tensione - Diretta (Vf) max a If
1.1 V @ 4 A
Corrente - Dispersione inversa a Vr
10 μA @ 1000 V
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 125 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore/involucro
4-Square
Contenitore del fornitore
-
NTE5317 Inventario: 33200
5.0 / 5.0
2023-04-06 10:46
Ottimo venditore, prodotto molto veloce, ben confezionato, grazie anche a te
2023-04-05 07:51
In alto come nella descrizione
2023-04-06 01:07
Avevo bisogno dei MOSFET per una scheda RGBW. Dopo un anno è ancora tutto a posto
2023-04-05 14:52
Ottimo prodotto, prezzo e spedizione. Ottimo !! del venditore Grazie.
2023-03-31 01:24
funziona bene, come pubblicizzato. Consiglierei
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