NTE170
Active - R-SI BRIDGE 1000V 2A
Descrizione:
R-SI BRIDGE 1000V 2A
NTE170 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Active
Tipo di diodo
Single Phase
Tensione - Inversa di picco max
1 kV
Corrente - Media rettificata (Io)
2 A
Tensione - Diretta (Vf) max a If
1.1 V @ 2 A
Corrente - Dispersione inversa a Vr
10 μA @ 1000 V
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore/involucro
4-SIP
Contenitore del fornitore
4-SIP
NTE170 Inventario: 20680
5.0 / 5.0
2023-02-03 07:29
Spedito in 1 giorno
2023-02-03 06:07
sembra ok , non ancora usato
2023-02-03 22:43
Un tester dei componenti ha verificato che tutti e 10 i transistor BD912 erano OK con un hFE compreso tra 141 e 157. La spedizione negli Stati Uniti è stata molto veloce.
2023-02-03 22:43
Un tester dei componenti ha verificato che tutti e 10 i transistor BD911 erano OK con un hFE compreso tra 44 e 47. La spedizione negli Stati Uniti è stata molto veloce.
2023-02-02 07:18
Buon venditore. Grazie.
France
