IRFAF40
Active - N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Descrizione:
N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
IRFAF40 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
900 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
4.3A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
2.9Ohm @ 4.3A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
120 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1500 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max)
125W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore del fornitore
TO-204AA (TO-3)
Contenitore/involucro
TO-204AA, TO-3
IRFAF40 Inventario: 8480
5.0 / 5.0
2023-06-06 11:47
Ottimo prodotto, consiglio il venditore.
2023-06-05 23:53
Ha funzionato alla grande per la sostituzione dell%27mcu vesc. Sembra autentico nonostante il prezzo basso.
2023-06-06 02:59
Il prodotto è conforme alla descrizione, consegnato rapidamente. Venditore altamente raccomandato. Come descrizione, spedizione veloce, venditore altamente raccomandato
2023-06-05 05:00
Bel prodotto co-confezionato ancora da provare
2023-06-06 05:23
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