IRFAC50
Active - N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Descrizione:
N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
IRFAC50 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
10.6A
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
-
Carica del gate (Qg) max a Vgs
-
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
-
Dissipazione di potenza (max)
150W
Temperatura di funzionamento
-
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore del fornitore
TO-204AA (TO-3)
Contenitore/involucro
TO-204AA, TO-3
Italy
