IRFAC30
Active - N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Descrizione:
N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
IRFAC30 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
3.6A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
2.5Ohm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
38 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
630 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max)
75W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore del fornitore
TO-204AA (TO-3)
Contenitore/involucro
TO-204AA, TO-3
IRFAC30 Inventario: 42260
5.0 / 5.0
2023-03-21 12:26
Va tutto bene
2023-03-17 23:55
Non ancora testato in circuito...
2023-03-09 03:13
NESSUNA delle 10 fiches ha funzionato correttamente. Quando li carico, qualcosa all%27%27interno dei chip si scontra e la tensione di uscita salta alla tensione di ingresso. Dopodiché il chip non si regola più. Tensione di uscita = tensione di ingresso. Pessima qualità !
2023-03-20 04:01
Come descritto. Li ho comprati per un esp32 ma non danno abbastanza potenza. Ho ordinato in questo stesso negozio l%27%27ht7833 che aspetto già se
2023-03-17 01:37
Un paio di pezzi già przylutowalem è OK
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