IRF362
Active - N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Descrizione:
N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
IRF362 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
400 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
22A
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
-
Carica del gate (Qg) max a Vgs
-
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
-
Dissipazione di potenza (max)
300W
Temperatura di funzionamento
-
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore del fornitore
TO-204AA (TO-3)
Contenitore/involucro
TO-204AA, TO-3
IRF362 Inventario: 26560
5.0 / 5.0
2023-02-17 12:13
50 pezzi esatti.%26lt;br%26gt;È arrivato molto rapidamente.
2023-02-16 10:34
Presto ricevuto. Ben imballato. Prodotto come descritto. Qualità buona.
2023-02-17 15:14
Non esattamente quello che mi aspettavo
2023-02-16 23:32
Tutto ok, venditore affidabile come sempre.
2023-02-14 10:38
Buon prodotto che si adatta alla descrizione e venditore affidabile.%26lt;br%26gt;I tempi di spedizione e consegna degli ordini nei Paesi Bassi sono stati dal 26 gennaio fino ad oggi 14 febbraio.%26lt;br%26gt;Grazie venditore per questa transazione fluida e molto veloce :)
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