IRF323
Active - N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Descrizione:
N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
IRF323 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
350 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
2.8A
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
-
Carica del gate (Qg) max a Vgs
-
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
-
Dissipazione di potenza (max)
50W
Temperatura di funzionamento
-
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore del fornitore
TO-204AA (TO-3)
Contenitore/involucro
TO-204AA, TO-3
IRF323 Inventario: 25200
5.0 / 5.0
2023-03-24 03:47
Semplicemente eccellente!! Grazie.
2022-12-19 19:44
La consegna non è arrivata.
2023-03-25 13:19
È come la descrizione (Toshiba). È l%27%27importo che ho chiesto. Molto rapidamente mandò a mandare. Non ancora provato, metterò ulteriori commenti più tardi.
2023-03-25 19:53
sembra buono. Non ancora testato.
2022-11-10 14:27
alcuni componenti danneggiati, inutilizzabili
Finland
