IRF221
Active - N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Descrizione:
N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
IRF221 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
150 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
5A
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
-
Carica del gate (Qg) max a Vgs
-
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
-
Dissipazione di potenza (max)
40W
Temperatura di funzionamento
-
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore del fornitore
TO-204AA (TO-3)
Contenitore/involucro
TO-204AA, TO-3
IRF221 Inventario: 20160
5.0 / 5.0
2023-03-23 22:54
Tutto ok consigliato, ottimo prodotto
2023-03-25 04:23
Tutto come ordinato, non ho controllato la qualità, ma l%27%27aspetto e la quantità sono conformi alla descrizione. La consegna è veloce. Grazie! (PS Sì, sono una donna! Non lasciarti confondere!)
2023-03-26 01:25
Sono arrivati molto più velocemente del previsto. Tutto quello che devo fare è cavalcarli.
2023-03-24 03:47
Semplicemente eccellente!! Grazie.
2022-12-19 19:44
La consegna non è arrivata.
Italy
