IPP80R450P7XKSA1
Active - MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
IPP80R450P7XKSA1 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
800 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
11A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
450mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) max a Id
3.5V @ 220μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
24 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
770 pF @ 500 V
Funzione FET
Super Junction
Dissipazione di potenza (max)
73W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore del fornitore
PG-TO220-3
Contenitore/involucro
TO-220-3
IPP80R450P7XKSA1 Inventario: 3440
5.0 / 5.0
2021-08-02 07:24
Marcatura in feltro sulla confezione non molto leggibile (possibile confusione) ! Senza quello, conformati! Grazie venditore!
2021-08-12 12:06
Transistor IGBT non rilevati SA per testerach accanto a più t7-h, in tescie per przelaczanie con-12V per E più zarowka alimentato 12V per C dito attivato con Plus, zalancza con-wylancza. Wysylka molto veloce, consegna veloce, prodotto buono jakosci, molto noi
2021-12-31 23:06
Buon prodotto e funziona correttamente.
2021-07-09 02:45
Ben accolto, non ancora testato
2021-12-03 00:22
Ordino 10 pezzi. Ora prova tre fiches e due era ID 0x441, che è STM32F412, non STM32F407. Sono molto deluso.
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