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Transistor - FET, MOSFET singoli
/ Infineon Technologies IPP016N08NF2SAKMA1
IPP016N08NF2SAKMA1
Active - TRENCH 40<-<100V
Fabbricante:
Infineon Technologies
Parte Mfr #
IPP016N08NF2SAKMA1
Categoria:
Transistor - FET, MOSFET singoli
Scheda tecnica:
IPP016N08NF2SAKMA1
Descrizione:
TRENCH 40<-<100V
IPP016N08NF2SAKMA1 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Categoria
Transistor - FET, MOSFET singoli
Fabbricante
Infineon Technologies
Serie
StrongIRFET 2
Imballaggio
Tube
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
80 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
35A (Ta), 196A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
1.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) max a Id
3.8V @ 267μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
255 nC @ 10 V
Vgs (max)
?0V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
12000 pF @ 40 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.8W (Ta), 300W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore del fornitore
PG-TO220-3
Contenitore/involucro
TO-220-3
IPP016N08NF2SAKMA1 Inventario: 15680
Storia Prezzo
$4.11000
5.0 / 5.0
Charles Reed
United States
2021-12-31 23:06
Buon prodotto e funziona correttamente.
Quentin Giraud
France
2021-07-09 02:45
Ben accolto, non ancora testato
Jukka Laakso
Finland
2021-12-03 00:22
Ordino 10 pezzi. Ora prova tre fiches e due era ID 0x441, che è STM32F412, non STM32F407. Sono molto deluso.
Kęstutis Darius
Lithuania
2021-12-27 06:22
La merce è molto soddisfatta, il venditore Grazie mille.
Justine Perrin
France
2021-06-10 07:32
Recu in 89 giorni, strip, per testare
IPP016N08NF2SAKMA1 Parti correlate
IPP020N06NAKSA1
Infineon Technologies
IPP016N08NF2SAKMA1
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IPP80P04P4L06AKSA1
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IPP015N04NF2SAKMA1
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IPP011N04NF2SAKMA1
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