CCB032M12FM3
Active - 1200V SIC 6-PACK MODULE
Descrizione:
1200V SIC 6-PACK MODULE
CCB032M12FM3 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Configurazione
Silicon Carbide (SiC)
Funzione FET
1200V (1.2kV)
Tensione drain/source (Vdss)
40A
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
42.6mOhm @ 30A, 15V
RDSon (max) a Id, Vgs
3.6V @ 11.5mA
Vgs(th) max a Id
118nC @ 15V
Carica del gate (Qg) max a Vgs
3400pF @ 800V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
10mW
Potenza - Max
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Temperatura di funzionamento
Chassis Mount
Contenitore del fornitore
-
Spain
