CAB400M12XM3

Active - MOSFET 2 N-CH 1200V MODULE
Descrizione:
MOSFET 2 N-CH 1200V MODULE
CAB400M12XM3 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
2 N-Channel (Dual)
Configurazione
Silicon Carbide (SiC)
Funzione FET
1200V (1.2kV)
Tensione drain/source (Vdss)
395A (Tc)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
5.3mOhm @ 400A, 15V
RDSon (max) a Id, Vgs
3.6V @ 92mA
Vgs(th) max a Id
908nC @ 15V
Carica del gate (Qg) max a Vgs
2450pF @ 800V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
-
Potenza - Max
-40 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Temperatura di funzionamento
Chassis Mount
Contenitore del fornitore
-