C6D10065Q-TR
Active - DIODE SIL CARBIDE 650V 39A 4QFN
Descrizione:
DIODE SIL CARBIDE 650V 39A 4QFN
C6D10065Q-TR Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max
650 V
Corrente - Media rettificata (Io)
39A
Tensione - Diretta (Vf) max a If
1.5 V @ 10 A
Velocità
No Recovery Time >500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (Trr)
-
Corrente - Dispersione inversa a Vr
50 μA @ 650 V
Capacità a Vr, F
611pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore/involucro
4-PowerVQFN
Contenitore del fornitore
4-QFN (8x8)
Temp. di funzionamento - Giunzione
-55 ℃ ~ 175 ℃
Spain
