C4D02120E
Active - DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO252-2
Descrizione:
DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO252-2
C4D02120E Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max
1200 V
Corrente - Media rettificata (Io)
10A
Tensione - Diretta (Vf) max a If
1.8 V @ 2 A
Velocità
No Recovery Time >500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (Trr)
0 ns
Corrente - Dispersione inversa a Vr
50 μA @ 1200 V
Capacità a Vr, F
167pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Contenitore del fornitore
TO-252-2
Temp. di funzionamento - Giunzione
-55 ℃ ~ 175 ℃
C4D02120E Inventario: 42980
5.0 / 5.0
2023-03-18 12:46
Tutto ok come descritto
2023-03-17 08:54
tutto ottimo, spedizione velocissima, grazie
2023-03-17 00:55
Componenti elettronici di valida resistenza strutturale. Non ho testato la precisione della tensione ma penso che tutto sia regolare. Il venditore ha spedito subito.
2023-03-18 16:42
Tutto bene e sono arrivati molto velocemente
2023-03-19 14:53
Ho masterizzato un bootloader utilizzando Avrdude a riga di comando su ciascuno dei 10 MCU, quindi ho caricato un codice LED a doppio lampeggio su ciascuno di essi. Hanno funzionato come un incantesimo. Sono tutti fantastici e hanno ATmel su di loro in modo che sembrino autentici. Niente limoni! Anche la spedizione è molto veloce.
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