C2M1000170J
Active - SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK
Descrizione:
SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK
C2M1000170J Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensione drain/source (Vdss)
1700 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
5.3A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
20V
RDSon (max) a Id, Vgs
1.4Ohm @ 2A, 20V
Vgs(th) max a Id
3.1V @ 500μA (Typ)
Carica del gate (Qg) max a Vgs
13 nC @ 20 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
200 pF @ 1000 V
Dissipazione di potenza (max)
78W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore del fornitore
D2PAK (7-Lead)
Contenitore/involucro
TO-263-7 (Straight Leads)
Italy
