SI9910DY-E3
Obsolete - IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Descrizione:
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
SI9910DY-E3 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Obsolete
Configurazione comandata
High-Side
Tipo di gate
N-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione
10.8V ~ 16.5V
Tensione logica - VIL, VIH
-
Corrente - Uscita di picco (source, drain)
1A, 1A
Tipo di ingresso
Non-Inverting
Tensione high-side - Max (bootstrap)
500 V
Tempo di salita/discesa (tip.)
50ns, 35ns
Temperatura di funzionamento
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore/involucro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Contenitore del fornitore
8-SOIC
SI9910DY-E3 Inventario: 0
5.0 / 5.0
2023-04-06 10:46
Ottimo venditore, prodotto molto veloce, ben confezionato, grazie anche a te
2023-04-05 07:51
In alto come nella descrizione
2023-04-06 01:07
Avevo bisogno dei MOSFET per una scheda RGBW. Dopo un anno è ancora tutto a posto
2023-04-05 14:52
Ottimo prodotto, prezzo e spedizione. Ottimo !! del venditore Grazie.
2023-03-31 01:24
funziona bene, come pubblicizzato. Consiglierei
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