IRLD120
Obsolete - MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
IRLD120 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Obsolete
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
1.3A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4V, 5V
RDSon (max) a Id, Vgs
270mOhm @ 780mA, 5V
Vgs(th) max a Id
2V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
12 nC @ 5 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
490 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max)
1.3W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore del fornitore
4-HVMDIP
Contenitore/involucro
4-DIP (0.300", 7.62mm)
IRLD120 Inventario: 35360
5.0 / 5.0
2023-06-01 02:54
Perfetto, in più: consegna veloce. Raccomando questo fornitore
2023-05-31 06:14
Consegna velocissima!!
2023-05-30 05:29
Niente ok, grazie
2023-05-30 02:22
Va tutto bene, sono soddisfatto, grazie amico mio!!
2023-05-30 14:13
Prodotto come descritto. Non ancora testato.
France
