IRLD110
Obsolete - MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
IRLD110 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Obsolete
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
1A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4V, 5V
RDSon (max) a Id, Vgs
540mOhm @ 600mA, 5V
Vgs(th) max a Id
2V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
6.1 nC @ 5 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
250 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max)
1.3W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore del fornitore
4-HVMDIP
Contenitore/involucro
4-DIP (0.300", 7.62mm)
IRLD110 Inventario: 30720
5.0 / 5.0
2022-12-19 19:44
La consegna non è arrivata.
2023-03-25 13:19
È come la descrizione (Toshiba). È l%27%27importo che ho chiesto. Molto rapidamente mandò a mandare. Non ancora provato, metterò ulteriori commenti più tardi.
2023-03-25 19:53
sembra buono. Non ancora testato.
2022-11-10 14:27
alcuni componenti danneggiati, inutilizzabili
2023-03-20 09:32
Bene 50 pezzi. Ottimo per il prezzo!
Finland
