IRLD024
Obsolete - MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
IRLD024 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Obsolete
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
2.5A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4V, 5V
RDSon (max) a Id, Vgs
100mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs(th) max a Id
2V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
18 nC @ 5 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
870 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max)
1.3W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore del fornitore
4-HVMDIP
Contenitore/involucro
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Poland
