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Casa  /  Semiconduttore Discreti  /  Diodi - Raddrizzatori - Diodi singoli  /  Taiwan Semiconductor HS1BL M2G

HS1BL M2G

Active Icon Active - DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
HS1BL M2G
HS1BL M2G
Taiwan Semiconductor
Fabbricante:
Parte Mfr #
Scheda tecnica:
Descrizione:
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
 
3D Model Icon

HS1BL M2G Specificazione

Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Fabbricante
Serie
-
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
Standard
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max
100 V
Corrente - Media rettificata (Io)
1A
Tensione - Diretta (Vf) max a If
950 mV @ 1 A
Velocità
Fast Recovery = 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (Trr)
50 ns
Corrente - Dispersione inversa a Vr
5 μA @ 100 V
Capacità a Vr, F
20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore/involucro
DO-219AB
Contenitore del fornitore
Sub SMA
Temp. di funzionamento - Giunzione
-55 ℃ ~ 150 ℃

HS1BL M2G Inventario: 15560

Storia Prezzo
Active
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Quentin Giraud
Location Icon France
5 stars
2021-07-09 02:45
Ben accolto, non ancora testato
Author Icon
Jukka Laakso
Location Icon Finland
5 stars
2021-12-03 00:22
Ordino 10 pezzi. Ora prova tre fiches e due era ID 0x441, che è STM32F412, non STM32F407. Sono molto deluso.
Author Icon
Kęstutis Darius
Location Icon Lithuania
5 stars
2021-12-27 06:22
La merce è molto soddisfatta, il venditore Grazie mille.
Author Icon
Justine Perrin
Location Icon France
5 stars
2021-06-10 07:32
Recu in 89 giorni, strip, per testare
Author Icon
Lotte van der Veen
Location Icon Netherlands
5 stars
2021-11-23 06:50
Tutto ok, grazie!

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