STW65N65DM2AG
Active - MOSFET N-CH 650V 60A TO247
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 60A TO247
STW65N65DM2AG Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Serie
Automotive, AEC-Q101, MDmesh DM2
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
60A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
50mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) max a Id
5V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
120 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
5500 pF @ 100 V
Dissipazione di potenza (max)
446W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore del fornitore
TO-247-3
Contenitore/involucro
TO-247-3
STW65N65DM2AG Inventario: 9700
5.0 / 5.0
2023-03-24 03:47
Semplicemente eccellente!! Grazie.
2022-12-19 19:44
La consegna non è arrivata.
2023-03-25 13:19
È come la descrizione (Toshiba). È l%27%27importo che ho chiesto. Molto rapidamente mandò a mandare. Non ancora provato, metterò ulteriori commenti più tardi.
2023-03-25 19:53
sembra buono. Non ancora testato.
2022-11-10 14:27
alcuni componenti danneggiati, inutilizzabili
Finland
