STW11NB80
Obsolete - MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
STW11NB80 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Obsolete
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
800 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
11A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
800mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) max a Id
5V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
70 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2900 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max)
190W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore del fornitore
TO-247-3
Contenitore/involucro
TO-247-3
STW11NB80 Inventario: 15080
5.0 / 5.0
2022-10-21 07:37
Grazie perfetto molto ben accolto e rapidamente
2022-09-01 01:06
Funziona bene. Chip come nuovo
2023-01-16 02:41
Tempo di elaborazione e consegna in Francia: 17 giorni di calendario (spedizione combinata). Prodotto come mostrato
2023-02-06 12:38
Consegna veloce, tutte le funzioni
2023-02-04 22:50
Imballaggio molto buono
Netherlands
