STU12N60M2
Active - MOSFET N-CH 600V 9A IPAK
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 9A IPAK
STU12N60M2 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
9A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
450mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
16 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
538 pF @ 100 V
Dissipazione di potenza (max)
85W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore del fornitore
TO-251 (IPAK)
Contenitore/involucro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
STU12N60M2 Inventario: 20760
5.0 / 5.0
2023-03-01 01:33
Molto bello, in contenitori separati.
2023-03-01 17:21
Arrivato in 9 giorni dopo l%27%27ordine.%26lt;br%26gt;Grazie!
2023-02-28 05:32
L%27%27aspetto bello deve essere ancora ostruito
2022-12-16 18:07
Ricevuto ok, molte gambe sono state piegate correttamente è accaduto quando il chip ic è stato spinto verso il basso in schiuma antistatica per la spedizione
2023-02-28 05:53
Ok tutto buono spedizione veloce grazie
Italy
