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STGWT80V60DF

Obsolete - IGBT 600V 120A 469W TO-3P

Fabbricante:

STMicroelectronics

Parte Mfr #

STGWT80V60DF

Categoria:

Transistor - IGBT singoli

Scheda tecnica:

STGWT80V60DF

Descrizione:

IGBT 600V 120A 469W TO-3P

STGWT80V60DF Specificazione

Attributo del Prodotto

Valore Attributo

Categoria

Transistor - IGBT singoli

Fabbricante

STMicroelectronics

Serie

-

Imballaggio

Tube

Stato del prodotto

Obsolete

Tipo di IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)

600 V

Corrente - Collettore (Ic) max

120 A

Corrente - Pulsata collettore (Icm)

240 A

Vce(on) max a Vge, Ic

2.3V @ 15V, 80A

Potenza - Max

469 W

Energia di commutazione

1.8mJ (on), 1mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Carica del gate

448 nC

Td (on/off) a 25°C

60ns/220ns

Condizione di test

400V, 80A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (Trr)

60 ns

Temperatura di funzionamento

-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Contenitore/involucro

TO-3P-3, SC-65-3

Contenitore del fornitore

TO-3P

STGWT80V60DF Inventario: 4100

Storia Prezzo

$5.90000

5.0 / 5.0

Laura Salmi

Finland

2023-03-24 03:47

Semplicemente eccellente!! Grazie.

Ville Räsänen

Finland

2022-12-19 19:44

La consegna non è arrivata.

Asher King

United States

2023-03-25 13:19

È come la descrizione (Toshiba). È l%27%27importo che ho chiesto. Molto rapidamente mandò a mandare. Non ancora provato, metterò ulteriori commenti più tardi.

Éloïse Dupuis

France

2023-03-25 19:53

sembra buono. Non ancora testato.

Naomi Thompson

United States

2022-11-10 14:27

alcuni componenti danneggiati, inutilizzabili

STGWT80V60DF

STGWT80V60DF Specificazione

STGWT80V60DF Inventario: 4100

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