STD9NM60N
Active - MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK
STD9NM60N Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
6.5A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
745mOhm @ 3.25A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
17.4 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
452 pF @ 50 V
Dissipazione di potenza (max)
70W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore del fornitore
DPAK
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Lithuania
