STD6N80K5
Active - MOSFET N-CH 800V 4.5A DPAK
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 4.5A DPAK
STD6N80K5 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
800 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
4.5A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
1.6Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) max a Id
5V @ 100μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
7.5 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
255 pF @ 100 V
Dissipazione di potenza (max)
85W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore del fornitore
DPAK
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Spain
